參考消息網(wǎng)12月25日據臺灣“中央社”報道,臺積電發(fā)出活動(dòng)通知,預計12月29日在臺南科學(xué)園區的芯片18廠(chǎng)新建工程基地,舉行3納米量產(chǎn)暨擴廠(chǎng)典禮,屆時(shí)將有上梁儀式。
報道稱(chēng),相較于5納米,臺積電3納米制程技術(shù)的邏輯密度將增加70%,在相同功耗下速度提升10%至15%,在相同速度下功耗降低25%至30%。據預期,蘋(píng)果及英特爾等客戶(hù)都將采用臺積電3納米制程。
據悉,臺積電的南科芯片18廠(chǎng)是5納米及3納米的生產(chǎn)基地,其中,芯片18廠(chǎng)5期至9期廠(chǎng)房是3納米生產(chǎn)基地。
報道稱(chēng),相較于對手三星于今年6月30日搶先宣布3納米全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)量產(chǎn),并于7月25日在韓國京畿道華城廠(chǎng)區內舉行盛大的3納米GAA芯片產(chǎn)品出廠(chǎng)紀念活動(dòng),臺積電3納米量產(chǎn)時(shí)間晚了近半年。
臺積電美國亞利桑那州廠(chǎng)第一期工程,預計2024年量產(chǎn)4納米;第二期工程開(kāi)始興建,預計2026年生產(chǎn)3納米制程,兩期工程總投資金額約400億美元,兩期工程完工后合計將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片芯片。
面對臺積電擴大美國投資,派工程師赴美支援,引發(fā)“去臺化”、“掏空臺灣”疑慮。報道形容,臺積電南科3納米量產(chǎn)是“罕見(jiàn)以實(shí)際行動(dòng)宣示持續深耕臺灣的決心,化解外界疑慮”。(來(lái)源:參考消息網(wǎng))