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臺積電赴美 島內工程師細數八大傷害

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據島內媒體報道,臺積電美國亞利桑那州廠(chǎng)第一期工程預計2024年量產(chǎn)四納米芯片,第二期工程開(kāi)始興建,預計2026年生產(chǎn)三納米芯片。兩期工程總投資金額約400億美元,完工后合計將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片芯片。臺積電擴大在美投資,派工程師赴美支援,引發(fā)島內輿論對“去臺化”“掏空臺灣”擔憂(yōu)。事實(shí)上,自本月6日臺積電美國亞利桑那新廠(chǎng)舉行移機典禮后,對島內技術(shù)人才外流、臺積電最終將變成“美積電”的憂(yōu)心聲音,就不絕于耳。

臺灣時(shí)事評論員賴(lài)岳謙表示,美國總統拜登說(shuō),半導體“從此以后是美國制造,不是臺灣制造”,那臺積電有沒(méi)有可能被掏空?現在臺積電已經(jīng)開(kāi)到美國去了,工程師也被一批批地運往美國。他強調,臺灣民眾關(guān)心的是“臺灣制造的臺積電”,而不是“美國制造的臺積電”。

臺灣財經(jīng)評論員陳鳳馨指出,臺積電許多工程師舉家遷移美國,是將臺灣人才“連根拔起”。臺積電恐將成為第二個(gè)日本東芝,被美國“用完即丟”。陳鳳馨還擔憂(yōu),臺灣半導體產(chǎn)業(yè)將被歐美不斷剝削,剝完為止。

有臺灣工程師以《臺積電三四納米廠(chǎng)被帶去美國的傷害有多大》為題,列出了臺灣將遭受的八項嚴重影響。其中包括,投資金額流出1.2萬(wàn)億新臺幣;首批赴美1000人,明年擬人數翻倍;出走人才家庭及后代消費力留在美國;相關(guān)供應鏈外移,損失5000個(gè)工作機會(huì );身在敵營(yíng)如何保住商業(yè)機密;英特爾(intel)挖角競爭;在美制造成本高出在臺五成,稅收流失貢獻美國等。臺灣工程師表示,美方無(wú)論在言辭上如何輕描淡寫(xiě),實(shí)際對臺都造成了“天文數字的資產(chǎn)掏空”。倘若未來(lái)美國直接掠奪臺積電資源,臺灣將難以抵制,也無(wú)處申訴。

這篇文章令島內網(wǎng)友深表認同。臺灣網(wǎng)友表示,認同所言,去的人及其下一代也是人才;重點(diǎn)是移走的是高階制程,弱化了臺積電在臺灣高階制程的布局。更有網(wǎng)友認為,那些去美國拿綠卡的工程師,與臺積電簽約三年,三年約滿(mǎn)后,可能會(huì )跳槽到薪水更高的英特爾,其職缺恐怕還要從臺灣派員填補,未來(lái)臺灣的臺積電極有可能淪為職業(yè)培訓班。【來(lái)源:看臺海微信公眾號】

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