中新網(wǎng)5月11日電 據臺灣《聯(lián)合報》報道，臺灣成功大學(xué)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)成大)物理系副教授楊展其與前沿量子科技研究中心特聘教授陳宜君、陳則銘團隊，提出并實(shí)證調控材料側向磊晶扭轉結構的方法，有助設計與調控量子材料的電子結構與晶體幾何排列，開(kāi)啟調控磊晶薄膜制造的嶄新方向，研究成果發(fā)表在國際期刊《自然·通訊》，其核心技術(shù)也已通過(guò)臺灣專(zhuān)利核可，正美國專(zhuān)利審核中。

　　成大跨域研究團隊于國際期刊《自然·通訊》發(fā)表論文，分享側向扭曲同質(zhì)磊晶結構的研究成果，期刊文章第一與共同第一作者分別為楊展其老師的博士后研究員吳秉駿與博士班學(xué)生魏嘉駿。

　　楊展其表示，近10年來(lái)，對于制作具有優(yōu)異材料特性的高質(zhì)量薄膜，磊晶技術(shù)扮演至關(guān)重要的角色。傳統磊晶概念主要建立在材料的垂直堆疊，多數研究者皆致力于開(kāi)發(fā)與調制垂直磊晶結構的功能性質(zhì)，橫向可扭轉同質(zhì)磊晶結構的制造與物性操控，尚未被實(shí)現在量子材料領(lǐng)域。

　　在新穎量子材料開(kāi)發(fā)、控制側向同質(zhì)扭轉磊晶結構的研究中，楊展其研究團隊實(shí)證相同磊晶系統也可具有接結的夾角調控、也可透過(guò)制程控制不同晶面的側向接合，更進(jìn)一步推廣至相同材料不同晶向的界面扭轉拼接，誘發(fā)出具有新穎物理特性的界面。

　　團隊表示，透過(guò)現代微影技術(shù)的協(xié)助，展示橫向可扭轉同質(zhì)結構，用以調控鐵電、反鐵磁與軌域等多項磊晶組合的可行性，也實(shí)證新開(kāi)發(fā)的制程，具有納米尺度且精準的任意圖形化能力，可與現有的半導體制程無(wú)縫接軌。以復雜性氧化物出發(fā)，作為量子材料在固態(tài)物理中的重要分支，其對于納米電子學(xué)的新興技術(shù)及記憶體開(kāi)發(fā)運用的未來(lái)發(fā)展備受各界期待。

　　磊晶薄膜制造技術(shù)可有效調控電晶體特性及薄膜缺陷與品質(zhì)，借以提升半導體元件效能。其中，橫向磊晶調控技術(shù)為量子材料開(kāi)發(fā)與下世代電子元件發(fā)展最大的挑戰之一，楊展其研究團隊借由開(kāi)發(fā)自懸浮薄膜，提出一個(gè)控制材料側向磊晶的有效方案，可近乎隨心所欲地拼接薄膜的長(cháng)程晶體排列，進(jìn)而操控對應的量子特性與物理性質(zhì)。其研究團隊新穎且具創(chuàng )新貢獻的跨領(lǐng)域研究成果亦曾陸續登上《自然材料》、《納米快報、《先進(jìn)材料》等國際期刊。（來(lái)源：中新網(wǎng)）